Unsere Arbeit steht an der Schnittstelle zwischen grundlegender Koordinationschemie und praktischen Anwendungen in der Katalyse und Materialwissenschaft.
Ligandendesign
Unsere Forschung im Bereich Ligandendesign konzentriert sich auf die Entwicklung maĂgeschneiderter N-heterocyclischer Carben-, Imin- und Amidliganden, mit Schwerpunkt auf Ligandenfunktionalisierung, donorflexiblen LigandengerĂŒsten und der Erforschung neuer Carbene jenseits klassischer NHCs, einschlieĂlich mesoionischer und Remote Carbene. Durch die Abstimmung elektronischer und sterischer Eigenschaften sind diese Liganden darauf ausgelegt, Metallkoordination, ReaktivitĂ€t und SelektivitĂ€t zu steuern, neue ReaktivitĂ€ten zu ermöglichen, empfindliche Metallzentren zu stabilisieren und Anwendungen in Katalyse, Synthese und Materialchemie zu unterstĂŒtzen.
Elektronische Parameter
Die Huynh Elektronischen Parameter (HEPs) quantifizieren den elektronischen Einfluss eines trans-Liganden L auf das ÂčÂłC Carben NMR Signal des â±Prâ-bimy Reporterliganden. StĂ€rkere Donoren fĂŒhren zu einer schwĂ€cheren Palladium(II)âNHC Bindung, was eine Tieffeldverschiebung bewirkt. HEPs ermöglichen den Vergleich neutraler und anionischer, mono- und bidentater Werner Typ Liganden sowie metallorganischer Liganden auf einer einheitlichen Skala.
Diese Ligandenplattformen werden in der Katalyse eingesetzt, mit dem Schwerpunkt auf der Entwicklung von Metallkomplexen, die CâC Kupplung, CâH Aktivierung, Hydroelementierung und Alkoholaktivierung fördern können. Durch die Feinabstimmung von Ligandenelektronik und Sterik helfen sie, ReaktivitĂ€t und SelektivitĂ€t zu steuern, SchlĂŒsselintermediate zu stabilisieren und effizientere katalytische Transformationen zu ermöglichen.
Metallorganische PrÀkursoren
Wir konzentrieren uns auch auf die Entwicklung metallorganischer Komplexe fĂŒr ALD und CVD Anwendungen in der Halbleiterindustrie. Diese Arbeit umfasst die Entwicklung von PrĂ€kursoren mit der richtigen Balance aus FlĂŒchtigkeit, thermischer StabilitĂ€t und ReaktivitĂ€t zur UnterstĂŒtzung prĂ€ziser DĂŒnnschichtabscheidung, mit dem Ziel, FilmgleichmĂ€Ăigkeit, Reinheit und die gesamte Prozesskontrolle fĂŒr fortschrittliche Halbleitermaterialien zu verbessern.
